一种勾形磁场新磁屏蔽体优化设计与分析

摘要：

本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计.结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03％;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491Gs时,其功耗下降了约35.97％;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法.

关键词：单晶炉、勾形磁场、磁屏蔽体

所属期刊栏目：43

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：陕西省教育厅专项科研计划08JK374

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：237-241