用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

摘要：

采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3％的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04％的HIT太阳能电池.

关键词：ITO薄膜、衬底温度、溅射功率、HIT太阳能电池

所属期刊栏目：42

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：天津市自然科学基金10JCYBJC03000

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2002-2006,2012