CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

摘要：

采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征.结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40 ～70 nm,呈半月状,排列整齐；化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV).

关键词：CdSe薄膜、热蒸发、透过率、禁带宽度

所属期刊栏目：42

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：四川省教育厅重点项目01ZB089;四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放课题12zxfk15;南充市科技支撑计划402614

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1376-1379