溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90％.

关键词：In-Ga-Zn-O薄膜、溅射功率、电阻率、禁带宽度、透过率

所属期刊栏目：42

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60876055,11074063;河北省自然科学基金E2012201088;河北省高等学校科学研究项目ZH2012019;河北大学自然科学基金2011-219

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1343-1346,1352