低应力铌酸锂电光调Q开关的研究
本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等.对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理;在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响.制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性.
铌酸锂、调Q开关、应力
42
O78(晶体生长)
国家自然科学基金61108055
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1315-1318,1322