氮化镓晶体的氨热法生长进展

摘要：

GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.

关键词：氮化镓、氨热法、进展

所属期刊栏目：42

分类号：O782+.9(晶体生长)

资助基金：广西自然科学基金重点基金桂科自0991005Z

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1293-1298