温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

摘要：

本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.

关键词：温度、应变SiGe沟道、p-MOSFET、自热效应

所属期刊栏目：42

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10990103,11274266;教育部科学技术研究重点210207;云南省自然基金重点资助项目2008CC012

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：875-879,885