Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

摘要：

本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.

关键词：6H-SiC、退火、AFM、台阶结构

所属期刊栏目：42

分类号：O771(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学青年基金51002176;中国科学院知识创新工程重要方向项目KJCX2-EW-W10;江苏省产学联合技术创新基金项目BY2011119;国家高技术研究发展计划863计划2013AA031603

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：865-868