GaOOH和Ga2O3的制备及光学性能研究

摘要：

采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体.通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理.结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响.然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和900℃的空气中煅烧转化成了α-Ga2O3和3-Ga2O3.煅烧后的产物具有良好的形貌继承性.荧光光谱测试(λex=250 nm)结果显示,pH值为5时制备的GaOOH和Ga2O3的发射峰位于415 nm和465 nm,而在pH值为3和8时的发射峰均位于370 nm和465 nm.

关键词：GaOOH、Ga2O3、水热法、光致发光

所属期刊栏目：42

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：长江学者和创新团队资助项目IRT0972;国家自然科学基金51002102;山西省自然科学基金2011011022-1,2012011046-7;山西省研究生优秀创新项目20113033

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：804-809,814