区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

摘要：

气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20％降低到10％,从而降低生产成本.

关键词：气相掺杂、区熔硅单晶、电阻率

所属期刊栏目：42

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：硅材料设备应用工程41091

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：456-460