氧气流量对MgxZn1-xO薄膜择优取向的影响

摘要：

利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响.结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向；在沉积压强8.0Pa时,随着氧气流量的增加,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致MgZnO薄膜的生长取向由(200)择优取向转变为(111)择优取向.当氧气流量过大(70 sccm)时,由于氧气分子迁移能的提高,MgZnO薄膜呈现多个不同生长取向.

关键词：ZnO、MgZnO、脉冲激光沉积、氧气流量

所属期刊栏目：42

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60976036;深圳市科技计划项目;深圳大学基础研究科研项目201201;深圳市特种功能材料重点实验室开放基金T201205

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：437-440