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等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响

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采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.在优化其它沉积参数的条件下,研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响.通过X射线衍射谱,拉曼光谱,红外吸收谱以及SEM来表征了微晶硅薄膜材料的微结构.结果显示:随着射频功率的增加,微晶硅薄膜的晶化率提高,晶粒尺度减小,薄膜呈小晶粒生长,薄膜中氢含量减少,微结构因子增加,薄膜生长表现出不均匀性.

微晶硅薄膜、化学气相沉积、微结构

42

O484(固体物理学)

国家自然科学基金51262022;内蒙古自然科学基金2009MS0806

2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

418-422

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