多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究
本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.
非晶硅薄膜、二次晶化、多晶硅薄膜、结晶团现象、晶化机理
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TM914.4+2
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
278-281
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非晶硅薄膜、二次晶化、多晶硅薄膜、结晶团现象、晶化机理
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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