硅异质结电池界面处理关键工艺的研究

摘要：

薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能.本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结；通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响；分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4 Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压Voc和填充因子FF.本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率.

关键词：硅异质结太阳电池、钝化处理、等离子体初期不稳性、退火处理、界面特性

所属期刊栏目：42

分类号：O614.24+1(无机化学)

资助基金：北京市科技计划D121100001812003;国家重点基础研究计划973计划2011CBA00705

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：235-239