ADP晶体的全方位生长方法研究
采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.
ADP晶体、全方位生长、理想外形、生长速度
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O78(晶体生长)
The project supported by the National Natural Science Foundation of China10979029,11204148 and 51172111;the Fund of National Engineering Research Center for Optoelectronic Crystalline Materials2007k08
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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208-212