共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能

摘要：

采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x =0.78、0.72、0.68)薄膜.薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在.样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K) Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13 μB.低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变.

关键词：射频共溅射、NiZnO、铁磁性、电阻率

所属期刊栏目：42

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：福建省自然科学基金2010J01305,E0510027;福建省教育厅A类科技项目JA12283;泉州市科技项目计划2009G82012Z105;福建省高校服务海西建设重点项目A100

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：186-191