Ni掺杂ZnS的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线.结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料.掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂.纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高.掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰.
第一性原理、硫化锌、电子结构、光学性质、掺杂
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O649;O472(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金51102288;重庆市自然基金重点项目CSTC2011BA4027;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金KFJJ201104;重庆市教委科学技术研究项目KJ121408
2016-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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166-171