Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

摘要：

本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相；XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.

关键词：Bi4Si3O12、Bi4Ge3O12、析晶行为、坩埚下降法、晶体生长

所属期刊栏目：42

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家973前期专项2011CB612310;上海市科委基础研究重点项目11JC1412400;上海市教委重点学科J51504

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16