SiO2阻挡层对直流磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

摘要：

在AZO薄膜制备温度下,浮法玻璃衬底中的杂质可能会引入“掺杂”效应而导致薄膜迁移率的降低.为了提高薄膜的迁移率,增加载流子在薄膜中的输运能力,本实验提出SiO2/AZO复合薄膜制备技术.SiO2薄膜与普通玻璃相比,具有纯度高、透过率高的特点,本实验通过SiO2/AZO复合结构提高薄膜的迁移率.采用SiO2/AZO复合结构溅射制备AZO薄膜,使薄膜的载流子迁移率由19.8 cm2·V-1·s-1提高到57.1 cm2·V-1·s-1.

关键词：AZO薄膜、阻挡层、迁移率

所属期刊栏目：41

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：天津开发区职业技术学院技术服务与开发基金项目TEDAPT12-07

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1696-1699,1704