HgI2晶体最低生长温度的确定

摘要：

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

关键词：碘化汞、物理气相沉积、最低生长温度

所属期刊栏目：41

分类号：TQ050.4+21(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金51071115,51072155;西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队基金;西北工业大学基础研究基金JC20110244

在线出版日期：2013-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1195-1199