硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化

摘要：

针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响.分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征.结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7 μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018 ～9 ×1018 cm-3,当掺杂浓度大于5×1019 cm-3,P+层最佳深度将小于1μm.

关键词：硅太阳能电池、铝背场、性能模拟、PC1D

所属期刊栏目：41

分类号：TK6(生物能及其利用)

资助基金：南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金2010ZZ13

在线出版日期：2013-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1168-1173