垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究

摘要：

对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径.研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体.反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大；当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差.

关键词：生长速率、MOCVD、GaN、反应路径

所属期刊栏目：41

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176009;江苏省研究生创新计划项目CX10B_260Z

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1107-1112