垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析

摘要：

从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式.在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大.然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率.并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合.

关键词：MOCVD、GaN、热泳力、数值模拟

所属期刊栏目：41

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61176009;江苏省研究生创新计划项目CXl0B_260Z

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1059-1065