Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度.计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定.另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构.此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布.
化学吸附、表面吸附能、密度泛函理论
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O78(晶体生长)
国家自然科学基金10964016和10990103;云南省自然基金重点2008CC012;教育部科学技术研究重点210207资助的项目
2013-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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