4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

摘要：

采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.

关键词：本征缺陷、第一性原理、形成能、4H-SiC

所属期刊栏目：41

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金61006060;国家重大科技专项2009ZX01001

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1011-1014