CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究

摘要：

利用显微Raman光谱技术,对比研究了CdZnTe晶体无位错区和位锘密集区的Raman光谱.研究发现,CdZnTe晶体无位错区的Raman光谱出现了与Te有关的A1模(119 cm-1)、类CdTe的TO1模(138 cm-1)和类ZnTe 的TO2模(179 cm-1)；CdZnTe晶体位错密集区的Raman光谱中仅出现了与Te有关的A1模和类CdTe的TO1模,CdZnTe晶体类ZnTe的TO2模消失.对CdZnTe试样位错密集区进行变温光致发光谱测试,结果表明,束缚在中性施主上的激子的离解为电子空穴对,电子空穴的非辐射复合过程吸收了类ZnTe的TO2模声子能量,造成Raman 光谱中类ZnTe的TO2模缺失.

关键词：CdZnTe、位错、Raman光谱

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.2+5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51002012

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：922-925