西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟

摘要：

考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟.考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布.计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散出气的流场及温度场分布更为合理.后者可能有效避免气体在进出口间的“短路”现象,又使炉内各处温度分布更为均匀,减小硅棒不均匀生长现象.模拟结果还表明,采用典型工况的数据,还原炉中总能量损失占能量输入的78.9％,辐射热损失占总能量损失的70.9％,产品单位质量能耗为72.8 kWh/·kg-1,与很多其他研究结果及实际相一致.

关键词：计算流体力学、多晶硅、CVD还原炉、辐射热传递

所属期刊栏目：41

分类号：TQ018(一般性问题)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：507-512