衬底温度对Cu2O薄膜结构和性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.

关键词：Cu2O薄膜、电导率、光学带隙、衬底温度

所属期刊栏目：41

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51172009,51172013

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：457-460,467