WO3(001)极性表面及氢吸附特性的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对WO3 (001)的极性表面及其氢吸附特性进行了理论计算.通过对比WO表面和纯氧表面的表面化学势研究了两个极性表面的热力学稳定性,并分别计算了表面的几何结构和电子结构.结果表明:在贫氧环境中WO表面比较稳定,而在富氧环境中纯氧表面更稳定,WO表面和纯氧表面分别呈现n型半导体和p型半导体特性,表面原子通过调整W-O键长和键角实现表面弛豫.氢原子在两个极性表面不同吸附位置的计算表明:对WO表面和纯氧表面,W5c位和O1c位分别是稳定的吸附位置,且两者具有不同的反应特性.
三氧化钨、极性表面、第一性原理计算、氢气吸附
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TB34(工程材料学)
教育部长江学者和创新团队发展计划IRT805
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
323-328