Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.
Cd0.9Mn0.1Te晶体、Te溶剂-Bridgman法、红外透过率、电阻率、位错
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金50872111,50902113,50902114;国家重点基础研究发展计划9732011CB610406;中国111项目B08040;西北工业大学基础研究基金;西北工业大学凝固技术国家重点实验室研究基金
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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306-311