适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y2(MoO4)3∶DY3+的发光特性

摘要：

采用高温固相法制备纯相Y2( MoO4)3∶Dy3+荧光粉,并对其晶场及发光性质进行研究.晶场分析结果表明:Y3+格位晶场结构近似为对称性很低的C2,因此样品在近紫外区有很强f-f激发峰,适合于近紫外LED芯片.在387 nm激发下,主要发射峰为Dy3+的特征发射487 nm(蓝光,4F9/2→6H15/2)和574 nm(黄光,4F9/2→6H13/2).增大Dy3+掺杂浓度,黄光与蓝光的强度比值(Y/B)随之增大.387 nm激发下,不同Dy3+掺杂浓度荧光粉发射光的色坐标均在白光区域中.以上结果表明Y2( MoO4)3∶Dy3+是一种新型的适于近紫外LED芯片激发的白光荧光粉,发光性能良好.

关键词：Y2(MoO4)3∶Dy3+、荧光粉、白光LED、发光性质

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分类号：O433(光学)

资助基金：福建省科技重大专项2007HJ0004-2;福建省教育厅资助项目JK2011008;福建省青年人才创新项目2007F3027

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1467-1470,1488