碲溶剂法生长的Zn1-xCrxTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

摘要：

利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态.结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrx Te晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集；红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则.

关键词：Zn1-xCrTe、碲溶剂法、富碲相

所属期刊栏目：40

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973项目2011 CB610406;国家自然科学基金

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1102-1106