数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

摘要：

采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.

关键词：微晶硅薄膜电池、p/i界面、光电转换效率

所属期刊栏目：40

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2006CB202601;河南省自然科学基金072300410080

在线出版日期：2011-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：599-603