外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

摘要：

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.

关键词：外延生长、Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜、射频磁控溅射、漏电流、损耗

所属期刊栏目：40

分类号：TM22(电工材料)

资助基金：国家高技术研究发展计划8632009AA035002;四川省教育厅青年基金项目09ZB095

在线出版日期：2011-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：70-74