化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究

摘要：

本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.

关键词：化学掺杂、石墨纳米带、第一性原理

所属期刊栏目：40

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金50771082,60776822

在线出版日期：2011-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-52