磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5～5.5μm)的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.

关键词：In2O3、磁控溅射、溅射气压、电学特性、氧空位

所属期刊栏目：40

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10974174;浙江省自然科学基金Z6100117

在线出版日期：2011-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：17-21