固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

摘要：

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.

关键词：热力学、固态源分子束外延、InGaP、GaAs、异质结构

所属期刊栏目：39

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：National High Technology Research and Development Program of China2006AA 03Z413;Natural Science Foundation of Tianjin, China08JCYBJC14800

在线出版日期：2011-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1406-1411