用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究

摘要：

采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163 μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜.采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低.

关键词：CdZnTe晶体、真空镀碳、粗糙度、结合力、位错密度

所属期刊栏目：39

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10675080,50902091;上海大学研究生创新基金;上海高校优秀青年教师科研专项基金

在线出版日期：2011-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1114-1118