立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

摘要：

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.

关键词：MOCVD、感应加热、热分析、基座

所属期刊栏目：39

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金重点项目60736033;国防预研基金51308030102

在线出版日期：2010-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1072-1077