电子束蒸发制备PbI2膜及其光学性能研究

摘要：

采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响.结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比.随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高.根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙.结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大.在相同的衬底温度下,35 cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度.

关键词：PbI2膜、衬底温度、紫外-可见透过谱、吸收系数、光学带隙

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50902012;四川省应用基础研究项目2009JY008

在线出版日期：2010-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1019-1024