La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

摘要：

采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小.x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8 V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移.

关键词：Bi4Ti3O12薄膜、介电性能、漏电流、C-V特性

所属期刊栏目：39

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部科学技术研究重点项目208109;广西自然科学基金资助项目桂科自0832247

在线出版日期：2010-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1014-1018