氧化锡纳米晶的合成与生长

摘要：

采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在退火温度低于500 ℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500 ℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大.晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生.

关键词：氧化锡纳米晶、位错、水热法

所属期刊栏目：39

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50872001;安徽大学人才队伍建设经费资助项目

在线出版日期：2010-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：912-916