SiC晶体的PVT生长系统及测温盲孔对热场的影响

摘要：

实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明:径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度梯度和轴向温度梯度的影响效果不同;改变测温盲孔尺寸适于调节径向温度梯度;测温盲孔半径和深度的增加均可导致坩埚盖上SiC多晶生长速率提高.

关键词：SiC、测温盲孔、热场、温度梯度

所属期刊栏目：39

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：陕西省重大科技创新项目2004K072G9;陕西省教育厅科学研究计划项目08JK375

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：741-746