SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

摘要：

用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.

关键词：第一性原理、吸附能、结构参数、反应机制

所属期刊栏目：39

分类号：O411(理论物理学)

资助基金：周口师范学院大学生科研创新基金zknudxs023

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：516-519