SiC单晶片的取向研磨

摘要：

优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5%之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm.

关键词：SiC单晶片、取向研磨、偏向晶片

所属期刊栏目：39

分类号：O786(晶体生长)

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：365-368