α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长

摘要：

采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜,且薄膜中存在较小的压应力,这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致.

关键词：SiC薄膜、蓝宝石衬底、固源分子束外延

所属期刊栏目：39

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50572100, 50872128;安徽省高等学校省级自然科学研究项目KJ2010B189

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：308-312