以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

摘要：

本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.

关键词：升华法、SiC单晶、微管、层错

所属期刊栏目：39

分类号：O771(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金50802053,50721002;教育部科技创新工程重大项目707039;973国家重大科学研究计划项目2009CB930503

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：287-290