CdZnTe晶片的Raman光谱研究

摘要：

利用Raman光谱技术研究了CdZnTe晶片表面处理方法、激光功率及波长变化对CdZnTe晶片的Raman谱线影响.研究表明:CdZnTe晶片分别经过机械抛光、Br-MeOH溶液处理以及Br-MeOH溶液+ KOH/甲醇溶液处理后,由于表面晶格完整性的改变, Raman光谱出现了明显变化.采用514.5 nm、632.8 nm及785 nm激光激发CdZnTe晶片时,晶片的Raman波谱也有所不同,其中用785 nm激光激发样品,荧光发光峰位于100～200 cm~(-1)范围,掩盖了晶片Raman特征峰.在对CdZnTe晶片做Raman测试时,尽可能选择较低功率.

关键词：CdZnTe、Raman光谱、表面处理、激光功率

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2+6(半导体技术)

资助基金：西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题SKLSP201005

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：221-225,231