沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响

摘要：

利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.

关键词：射频磁控溅射、SZO薄膜、溅射压强、透明导电氧化物

所属期刊栏目：39

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：上海市教育委员会科研创新项目09YZ23

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：139-143