Yb: Lu_3Al_5O_(12)晶体的生长及缺陷研究
采用提拉法生长Yb~(3+)掺杂浓度为10 at%的Yb: Lu_3Al_5O_(12)(Yb: LuAG)晶体.对晶体的结晶质量、晶胞参数、分凝系数等进行了表征.采用化学腐蚀的方法,利用光学显微镜和扫描电镜相结合研究了晶体中的缺陷.结果表明晶体具有较好的结晶质量,Yb~(3+)的掺入不会改变LuAG的晶体结构.观察到Yb: LuAG晶体(111)面上呈三角锥形的位错蚀坑和由小面引起的晶体应力双折射现象,并提出了减少缺陷,提高晶体质量的方法.
Yb:LuAG晶体、晶胞参数、位错、应力
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O782(晶体生长)
2010-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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